208HR高分辨離子濺射儀
208HR高分辨離子濺射儀為場發(fā)射掃描電鏡應(yīng)用中遇到的各種樣品噴鍍難題提供真正的解決方案。場發(fā)射掃描電鏡觀察時,樣品需鍍上極其薄、無細晶且均勻的膜層以消除電荷積累,并提高低密度材料的對比度。為了將細晶的尺寸減小到最小程度,208HR提供了一系列的鍍膜材料,并對膜厚和濺射條件提供無可媲美的控制。208HR分子渦輪泵高真空系統(tǒng)提供寬范圍的操作壓力,可以對膜層的均勻性和一致性進行精確控制,并最大程度減小
208HR高分辨離子濺射儀為場發(fā)射掃描電鏡應(yīng)用中遇到的各種樣品噴鍍難題提供真正的解決方案。場發(fā)射掃描電鏡觀察時,樣品需鍍上極其薄、無細晶且均勻的膜層以消除電荷積累,并提高低密度材料的對比度。為了將細晶的尺寸減小到最小程度,208HR提供了一系列的鍍膜材料,并對膜厚和濺射條件提供無可媲美的控制。208HR分子渦輪泵高真空系統(tǒng)提供寬范圍的操作壓力,可以對膜層的均勻性和一致性進行精確控制,并最大程度減小
208HR高分辨離子濺射儀為場發(fā)射掃描電鏡應(yīng)用中遇到的各種樣品噴鍍難題提供真正的解決方案。
場發(fā)射掃描電鏡觀察時,樣品需鍍上極其薄、無細晶且均勻的膜層以消除電荷積累,并提高低密度材料的對比度。為了將細晶的尺寸減小到最小程度,208HR提供了一系列的鍍膜材料,并對膜厚和濺射條件提供無可媲美的控制。
208HR分子渦輪泵高真空系統(tǒng)提供寬范圍的操作壓力,可以對膜層的均勻性和一致性進行精確控制,并最大程度減小充電效應(yīng)。高/低樣品室的結(jié)構(gòu)設(shè)計使靶材和樣品之間的距離調(diào)節(jié)變得極為方便。
MTM-20高分辨膜厚控制儀分辨率小于0.1nm,其作用是對所鍍薄膜的厚度進行精確控制,它尤其適合場發(fā)射電鏡對膜厚(0.5-3nm)的要求。
場發(fā)射掃描電鏡鍍膜推薦的靶材是:
· Pt/Pd:非導(dǎo)電樣品鍍膜的通用鍍膜材料
· Cr:優(yōu)良的半導(dǎo)體樣品的鍍膜材料
· Ir:優(yōu)良的真正無細晶的鍍膜材料
208HR系統(tǒng)為得到最佳高分辨鍍膜效果提供了多種配置選擇,可配備標準的旋片泵或提供干凈真空的無油渦旋式真空泵,標配的208HR包含Cr 和 Pt/Pd靶。
一、主要特性
· 可選擇多種鍍膜材料
· 精確的膜厚控制
· 樣品臺控制靈活:可對樣品臺進行獨立的旋轉(zhuǎn)、行星式轉(zhuǎn)動、傾斜控制,保證形貌差異大的樣品也能得到最佳的鍍膜效果。
· 多個樣品座:提供4個樣品座,每個樣品座直徑32mm,可裝載多達6個小樣品座。
· 樣品室?guī)缀慰勺儯?/span> 樣品室?guī)缀斡糜谡{(diào)節(jié)鍍膜的速率(1.0nm/s ~ 0.002nm/s)
· 寬范圍的操作壓力:獨立的功率和壓力調(diào)節(jié),氬氣的壓力大小范圍為0.2 - 0.005 mbar。
· 緊湊、現(xiàn)代的桌上型設(shè)計
· 操作容易
二、技術(shù)參數(shù)
濺射系統(tǒng) | |
鍍膜頭 | 低電壓平面磁控管 靶材更換快速 環(huán)繞暗區(qū)護罩 靶材調(diào)節(jié)遮擋 |
靶材 | Cr, Pt (標配) |
鍍膜控制 | 微處理器控制 安全互鎖 電流控制與真空度無關(guān) 數(shù)字化可選電流(20,40,60 和 80mA) |
樣品室大小 | 直徑150mm |
樣品臺 | 非重復(fù)的旋轉(zhuǎn)、行星式轉(zhuǎn)動,并可手動傾斜0-90° |
模擬計量 | 真空 Atm - .001mb |
控制方法 | 自動氣體凈化和泄氣功能 自動處理排序 帶有“暫停”功能的數(shù)字計時器 自動放氣 |
膜厚控制 | MTM-20高分辨膜厚控制儀 |
真空系統(tǒng) | |
結(jié)構(gòu) | 分子渦輪牽引泵和旋葉泵組合, 代替旋葉泵的無油渦旋式真空泵(選配) |
抽真空速度 | 0.1mb 下300 l/min |
抽真空時間 | 1 mbar 至 1 x 10-3mbar |
極限真空 | 1 x 10-5mbar |
桌上型系統(tǒng) | 旋葉泵置于抗震臺上,全金屬真空耦合系統(tǒng) |
膜厚測控儀 | |
MTM-20 | 基于微處理器,4位數(shù)字顯示,復(fù)位按鈕, 6MHz晶體(具有壽命檢查功能),5次/s的更新速率 |
膜厚范圍 | 0.0 - 999.9nm |
分辨率 | 優(yōu)于 0.1nm |
密度范圍 | 0.50 - 30.00gm/cm3 |
修正系數(shù)范圍 | 0.25 - 8.00 |
鍍膜終止范圍 | 膜厚0 - 999.9nm |
系統(tǒng)要求 | |
電氣 | 100-120 或 200-240VAC, 50/60Hz |
功率 | 550VA(最大) |
氬氣 | 最小純度99.995% |